Для дальнейшего уменьшения размеров транзисторов в кремниевых чипах необходимы инновационные технологии. В связи с этим, наиболее крупные полупроводниковые корпорации, к которым относятся Intel, Samsung и Toshiba, решили объединить свои знания и ресурсы, подписав соглашение о сотрудничестве.
Общее число компаний-участников планируется довести до десяти. Прочие компании, которые вскоре будут приглашены к сотрудничеству, также тем или иным образом помогут вести исследования будущего производства.
Совместный проект направлен на освоение литографических технологий с нормами менее 20 нм. Благодаря сотрудничеству компании планируют разработать технологию производства 10-нм чипов и работа над ней начнется уже в ближайшем времени. Напомним, что 10-нм транзистор в 100 тысяч раз тоньше человеческого волоса. Технология должна быть разработана к 2016 году. Toshiba и Samsung планируют использовать результаты совместных наноразработок для создания нового поколения флэш-памяти, а Intel собирается создать более быстродействующие микропроцессоры. Отметим, что Intel уже производит 32-нм чипы и намерена осуществить переход на 22 нанометра уже в следующем году.
Министерство экономики, торговли и индустриального развития Японии обещало вложить в проект около 5 млрд иен (примерно 60 млн долларов). Это составит около половины первоначально необходимых средств. Дальнейшее финансирование должны обеспечить компании, подписавшие соглашение.
